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在12英寸硅片方面，未来我国新增硅片设计产能将接近500万片/月(表2)，但目前仅有上海新昇和有研半导体两家公司能够少量生产12英寸硅片，其中上海新昇已研发出适用于45~28nm工艺节点的12英寸硅片，实现产能10万片/月，完成产品认证数十个;有研半导体建有一条适用于90nm节点的12英寸硅片生产中试线，月产能1万片;除此之外，其他大硅片项目仍处于规划建厂或产品研发的早期阶段。
分析可知，我国8英寸硅片已经开始进入放量阶段，预计2年内将对全球8英寸硅片供应端产能影响。相较于8英寸国产硅片的量产进度，12英寸国产硅片远未进入产能释放阶段，与庞大的需求相比供应量远远不足。初步估计，到2020年我国大陆芯片制造能力有望达到全球的30%，届时我国大陆12英寸硅片产能与芯片代工产能严重失配。
除了供需缺口之外，我国12英寸硅片产品的质量也有待提升。国内现有硅片产品仅能支持28nm节点及以上工艺，无法满足14nm以下更先进制造工艺的需求，较世界先进水平尚存在至少2代差距。另外，由于研发技术难度大以及国外的技术封锁，我国尚不具备12英寸SOI衬底的生产能力。因此，短期内我国12英寸硅衬底严重依赖进口的状况不会改变。此外，我国尚无一家公司能够批量供应射频微波用大尺寸高阻硅(HR-Si)衬底。
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